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          • 2021-01-13   型號:VCSEL-20-M   貨號:A80170003   價格:10450.00

            激光驅動電流 20mA;激光管驅動電壓最大值 4V;臺式;DB9輸出接口
            筱曉光子的VCSEL 激光驅動器,采用全鋁制外殼,具有優異的散熱性能和外殼強度,以保證長期地穩定可靠運行。2.4 寸 OLED 顯示屏,字體大而清晰。內置低噪聲可調恒流驅動和TEC控制。我們自己研發設計的VCSEL驅動底座,可以使激光器的引腳方便的插入,便于測試。軟件控制操作,也可以外加調制信號。我們也可以根據激光器引腳定義進行定制。
          • 2021-09-16   型號:VCSEL-795-0.13   貨號:A80040029

            正向電流 VF 典型值 1.8 V 輸出功率 Φ 典型值 0.13 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm
            垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20
          • 2021-09-16   型號:VCSEL-894.6-0.3   貨號:A80040028

            正向電流 VF 典型值 1.78 V 輸出功率 Φ 典型值 0.3 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.61 mA 斜率效能 SE 典型值 0.37 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm
            垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。
          • 2019-10-11   型號:PL-VCSEL-0850-1-1-PA-14BF   貨號:A80040014   價格:9350.00

            中心波長 850nm;波長偏差 ±10nm; 輸出功率 >0.1mw;14pin蝶形封裝;保偏輸出
            LD-PD INC借經過優化的光學特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。
          • 2020-10-24   型號:PL-VCSEL-1567-1-A81   貨號:A80040026   價格:4422.00

            中心波長 1567nm;光輸出功率 1.0mW;閾值電流 8mA;側模抑制比 40dB
            垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。它具有較小的遠場發散角,發散角光束窄且圓;并且閾值電流低,調制頻率高,能達到300KHz。通過改變激光電流跟溫度可以實現波長調諧。內置TEC和PD的包裝,它專為高速光纖通信而設計。
          • 2021-03-11   型號:PL-VCSEL-1654nm-3-SA   貨號:A80040024   價格:9350.00

            中心波長 1654nm;輸出功率 2mW;光纖類型 SMF-28e;接頭 FC/APC
            筱曉光子的新款1654nm VCSEL激光器中應用了最新發明的高對比度光柵層(HCG),HCG比傳統的分布布拉格反射鏡(DBR)薄約50倍,但具有更高的反射率和更寬的光譜寬度。我們的這款激光器具有高達8nm的調諧范圍,調諧頻率可達100kHz,是測試CH4氣體的理想選擇。
          • 2019-02-14   型號:MP794-01-TN-S46FTT   貨號:A80040008   價格:25300.00

            中心波長 795nm;輸出功率 1mw;TO46封裝;自由空間輸出;帶TEC
            Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。
          • 2019-02-14   型號:ULM852-01-TN-S46FTT   貨號:A80040022   價格:8580.00

            中心波長 852nm;波長偏差 ±1nm;輸出功率 1mw;TO46封裝;自由空間輸出;帶TEC
            Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。
          • 2019-02-14   型號:ULM852-10-TN-S46FZP   貨號:A80040021   價格:4180.00

            中心波長 852nm;波長偏差 ±10nm;輸出功率 1mw;TO46封裝;自由空間輸出;不帶TEC
            Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。
          • 2021-06-08   型號:ULM760-01-TN-S5FTT   貨號:A80040006   價格:9350.00

            中心波長 760nm;輸出功率 1mw;TO5封裝;自由空間輸出;帶TEC
            Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm、764nm激光器, 760nm用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。

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          • 筱曉光子的VCSEL 激光驅動器,采用全鋁制外殼,具有優異的散熱性能和外殼強度,以保證長期地穩定可靠運行。2.4 寸 OLED 顯示屏,字體大而清晰。內置低噪聲可調恒流驅動和TEC控制。我們自己研發設計的VCSEL驅動底座,可以使激光器的引腳方便的插入,便于測試。軟件控制操作,也可以外加調制信號。我們也可以根據激光器引腳定義進行定制。

          • Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。

          • 憑借經過優化的光學特性,760nm-2004nm 單模DFB成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存760nm DFB用于TDLAS氧氣檢測,1512nm DFB用于TDLAS氨氣檢測,795nm VCSEL用于Rb原子鐘實驗,852nm VCSEL用于CS原子冷卻,2004nm DFB用于TDLAS二氧化碳氣體檢測。

          • Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。

          • Philips借經過優化的光學特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。

          • LD-PD INC借經過優化的光學特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。

          • Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。

          • 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。它具有較小的遠場發散角,發散角光束窄且圓;并且閾值電流低,調制頻率高,能達到300KHz。通過改變激光電流跟溫度可以實現波長調諧。內置TEC和PD的包裝,它專為高速光纖通信而設計。

          • 筱曉光子的新款1654nm VCSEL激光器中應用了新發明的高對比度光柵層(HCG),HCG比傳統的分布布拉格反射鏡(DBR)薄約50倍,但具有更高的反射率和更寬的光譜寬度。我們的這款激光器具有高達8nm的調諧范圍,調諧頻率可達100kHz,是測試CH4氣體的理想選擇。

          • 半導體激光器又稱激光二極管,是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異,不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。 半導體激光器件,可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結激光器和單異質結激光器在室溫時多為脈沖器件,而雙異質結激光器室溫時可實現連續工作。半導體二極管激光器是最實用最重要的一類激光器。它體積小、壽命長,并可采用簡單的注入電流的方式來泵浦,其工作電壓和電流與集成電路兼容,因而可與之單片集成。并且還可以用高達GHz的頻率直接進行電流調制以獲得高速調制的激光輸出。由于這些優點,半導體二極管激光器在激光通信、光存儲、光陀螺、激光打印、測距以及雷達等方面得到了廣泛的應用。我們有如下類型的半導體激光器FP激光器  VCSEL激光器  QCL激光器  DFB激光器  ICL激光器  DBR激光器 

          • 用于激光束輪廓分析的新型創新計量 1 英寸大探測器,20 MP,2.4 x 2.4 微米像素大小 激光束和 VCSEL 陣列的平行測量 從深紫外到 1350 nm 的大光譜范圍創新的 20 MP 大孔徑光束分析儀, 在 NIR 處具有更高的靈敏度,最高可達 1350 nm 用于多光束分析的多個活動區域 多功能 - 測量輪廓、功率和位置

          • 該掃描波長激光器采用專用VCSEL激光芯片,可實現激光波長的高速掃描,單模光纖耦合輸出。專業設計的驅動與溫控電路控制保證激光器穩定工作,可提供臺式或模塊式封裝。

          • 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。

          • 760nm單模垂直腔面發射激光器(VCSEL)具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性等優點,2nm調諧范圍,專為可調諧半導體激光吸收光譜(TDLAS)應用而設計,內置防靜電(ESD)保護.

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