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          CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器  2022-06-20  

          CITLF3 是一種硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器,用于射電天文學和量子物理應用。當冷卻至 12K 或更低時,該放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的頻率范圍內實現了 4K (0.06dB) 的平均噪聲溫度。100 MHz 時的最低噪聲溫度為 2.5K。典型增益為 33dB,輸入/輸出回波損耗小于 -10dB。放大器是無條件穩定的。雖然放大器最適合 0.01 GHz 至 4 GHz 的頻率范圍,但該放大器可用于 3 MHz 至 5 GHz。 該放大器由單個正直流電源供電,最佳電壓為 2.0 V。此偏置下的功耗為 27 mW。然而,在低至 5 mW 的功耗下可以接收到良好的噪聲溫度。低功耗非常適合以 4K 運行的多放大器陣列。 放大器為 20.7 mm x 15.9 mm x 8.7 mm,不包括連接器。輸入和輸出母頭 SMA 連接器。

          產品型號
          縱向   橫向
          型號 貨號 操作 名稱
          CITLF3 CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器   [PDF] 價格 : 請聯系客服 庫存:0
          8-10周
          復制內容純文本
          通用參數

          主要特點

          非常低的噪聲,在 10 MHz 至 4 GHz 范圍內平均為 4K。

          由單個正直流電源供電。

          以低至 5 mW 的直流功率提供可用增益和噪聲。

          2 針 Winchester DC 連接器。

          可選的直流偏置三通。

          可選輸入保護二極管。

          尺寸 2.07 厘米 x 1.59 厘米 x 0.87 厘米。


          性能特點@12K

          射頻頻率 0.01 至 4.0GHz

          獲得

          35dB±3dB

          噪音溫度<4K

          噪聲系數<0.06dB

          最佳直流電源

          Vd=2.0V

          ID=13.6mA



          12 K時的電氣規格

          Description

          Typical

          Minimum

          Maximum

          RF Frequency

          射頻頻率

          .03-5 GHz

          0.01 GHz

          4 GHz

          Gain

          33 dB

          33 dB ± 3 dB

          Noise Temperature

          噪聲溫度

          < 4 K

          2.5 K

          4 K

          IRL (-20log|S11|)

          -12 dB

          < -10 dB

          ORL (-20log|S22|)

          -15 dB

          < -10 dB

          DC Voltage

          直流電壓

          2.0 V

          1.2 V

          3 V

          DC Current

          13.6 mA

          2.7 mA

          27.4 mA


          300 K時的電氣規格

          Description

          Typical

          Minimum

          Maximum

          RF Frequency

          .03-5 GHz

          0.01 GHz

          4 GHz

          Gain

          30 dB

          30 dB ± 5 dB

          Noise Temperature

          < 60K

          40 K

          74 K

          IRL (-20log|S11|)

          -10 dB

          < -10 dB

          ORL (-20log|S22|)

          -15 dB

          < -10 dB

          DC Voltage

          2.0 V

          1.2 V

          3 V

          DC Current

          14.6 mA

          5.4 mA

          27 mA



          典型測試結果–12 K時的最佳直流偏壓







          典型測試結果–12 K時的直流偏壓掃描







          典型測試結果–12 K時的低頻噪聲




          典型測試結果–12 K時的低頻S參數




          典型測試結果–12 K時的直流偏壓掃描





          CAD外殼圖紙













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