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          銦鎵砷InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型) 0.9-1.7μm  2022-05-11  

          InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

          產品型號
          縱向   橫向
          型號 貨號 操作 名稱
          IGA-APD-GM104-R E80042038
          InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)   [PDF] 光譜響應范圍0.9~1.7μm;響應度 @1550nm: 0.85 A/W; 3針TO46 封裝;SMF-28E 光纖耦合;FC/APC, 不帶 TCE 價格 : ¥14300.00 庫存:1
          3-4 周
          復制內容純文本
          產品特點

          ● 光譜響應范圍0.9~1.7μm 

          ● 高探測效率、低暗計數率 

          ● 3 pin TO46

          技術參數

          線性模式參數

          產品型號

          IGA-APD-GM104-R

          參數

          符號

          單位

          測試條件

          最小

          典型

          最大

          反向擊穿電壓

          VBR

          V

          22±3 ,ID =10μA

          60

          80

          90

          響應度

          Re

          A/W

          22±3 ,λ =1550nm ,M =1

          0.8

          0.85


          暗電流

          ID

          nA

          22±3 ,M =10


          0.1

          0.3

          電容

          C

          pF

          22±3 ,M =10, f=1MHz



          0.25

          擊穿電壓溫度 系數

          η

          V/K

          -40 ~80℃,ID =10μA



          0.15


          蓋革模式參數


          參數

          單位

          測試條件

          最小

          典型

          最大

          單光子探測效 PDE

          %

          -45 ,λ =1550nm, 0.1ph/pulse

          泊松分布單光子源

          20



          暗計數率DCR

          kHz

          -45 ,1ns門寬, 2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



           

          20*

          后脈沖概率 APP


          -45 ,1ns門寬, 2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



           

          1× 10-3

          時間抖動Tj

          ps

          -45 ,1ns ,2MHz門控重頻,PDE=20%



          100

          * 可提供不同等級規格產品

          尺寸規格

          TO46 (尾纖封裝)

          APD1.png

          產品應用

          ● 弱光探測

          ● 量子保密通信 

          ● 生物醫療










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